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UNISPEC
Charakterisierung:
- UHV-Oberflächenanalysesystem
- Analyse und Präparation von kristallinen Oberflächen für die Bestimmung der Materialzusammensetzung, atomaren Struktur und der chemischen Bindung
- ausgestattet mit: XPS, UPS, AES, LEED, STM
- UHV-Präparationskammer mit Verdampferquellen
Ansprechpartner:
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AES
Charakterisierung:
- AUGER-Elektronen Spektroskopie und Sputtertiefenprofilierung
- Analyse von Oberflächen und dünnen Schichten für die Untersuchung der Materialzusammensetzung und der Tiefenprofile
- UHV-System mit Elektronen- und Ionenkanone, CMA Elektronenenergieanalysator
Ansprechpartner:
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MBE System "FEMA"
Charakterisierung:
- Riber EVA 32 R & D
- Molekularstrahlepitaxie für das Wachstum von Silizium Carbid
- UHV-System mit Feststoffquellen
- Elektronenstrahlverdampfer für Silizium und Kohlenstoff,
- Dotierung mit Bor- und Stickstoff-Quellen
Ansprechpartner:
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CVD
Charakterisierung:
- Chemische Gasphasen Abscheidung
- Wachstum von Kohlenstoffnanoröhren
- Wasserstoff-Ätzen von SiC
- RF-Generator
Ansprechpartner:
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OMBE-Fass
Charakterisierung:
- Verdampfer organischer Moleküle
- Argon sputtern
- Analysemethoden: DRS, MCP-LEED incl. AES, STM, AFM
Ansprechpartner:
- Roman Forker & Stefan Prass
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OMBE-Kugel
Charakterisierung:
- Verdampfer organischer Moleküle
- Argon sputtern
- Analysemethoden: RHEED, STM
Ansprechpartner:
- Roman Forker & Stefan Prass
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Redaktion 
Intranet 